Микроволновые РЧ-компоненты

Микроволновые РЧ-компоненты

Обзор применения

Упаковка высокочастотных устройств: обеспечивает стабильную высокочастотную производительность, отличное экранирование и механическую прочность для управления и обработки сигналов.
РФ переключатель
РФ переключатель или микроволновой переключатель — это устройство для маршрутизации высокочастотных сигналов через передающие пути. РФ (радиочастотные) и микроволновые переключатели широко используются в микроволновых тестовых системах для маршрутизации сигналов между приборами и испытываемыми устройствами (DUT). Включение переключателя в систему матрицы переключателей позволяет маршрутизировать сигналы от нескольких приборов к одному или нескольким DUT. Это позволяет проводить несколько тестов с одной и той же настройкой, устраняя необходимость в частых подключениях и отключениях. Весь процесс тестирования может быть автоматизирован, что увеличивает производительность в условиях массового производства.

Аттенюатор
Аттенюатор — это схема, предназначенная для введения предопределенного ослабления в заданном диапазоне частот. Обычно он определяется количеством децибел ослабления и омах его характеристического импеданса. Аттенюаторы широко используются в системах кабельного телевидения для соответствия уровневым требованиям нескольких портов. Например, для управления входными и выходными уровнями усилителей или для управления ослаблением ответвляющих цепей. Аттенюаторы классифицируются на пассивные аттенюаторы и активные аттенюаторы. Активные аттенюаторы комбинируются с другими термосенситивными компонентами для формирования переменных аттенюаторов, которые устанавливаются внутри усилителей для автоматического управления усилением или наклоном. Пассивные аттенюаторы включают фиксированные аттенюаторы и регулируемые аттенюаторы.

PIN диод
PIN-диоды, также известные как диоды переключателей с фазовым сдвигом, отличаются от обычных двухслойных диодов с PN-переходом тем, что они включают I-слой: конкретно, между P-слоем, состоящим из полупроводникового материала P-типа, и N-слоем, состоящим из полупроводникового материала N-типа в обычном диоде с PN-переходом, вставляется I-слой, состоящий из слабо легированного материала с чистотой, приближающейся к чистому полупроводниковому материалу.